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- 2026-04-28 发布于四川
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2011年3月
FGD4536360V,
PDPIGBT
特性概述
•大电流能力采用新颖的沟槽IGBT技术,Fairchild的新系列沟槽IGBT为
•低饱和电压:VCE(sat)=1.59V@IC=50APDP应用了最佳性能,这些应用中低导通和开关损耗至关重
•高输入阻抗要。
•快速开关
•符合RoHS
应用
•PDP系统
C
D‑PAK
GE
绝对最大额定值
符号描述
2011年3月
FGD4536360V,
PDPIGBT
特性概述
•大电流能力采用新颖的沟槽IGBT技术,Fairchild的新系列沟槽IGBT为
•低饱和电压:VCE(sat)=1.59V@IC=50APDP应用了最佳性能,这些应用中低导通和开关损耗至关重
•高输入阻抗要。
•快速开关
•符合RoHS
应用
•PDP系统
C
D‑PAK
GE
绝对最大额定值
符号描述
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