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600V N通道MOSFET特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-04-28 发布于北京
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600V N通道MOSFET特性与应用.pdf

    QFET®

    FQD6N60C600VN通道

    MOSFET

    特性描述

    ï4A,600V,RDS(导通)=2.0Ω@VGS=10这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchildí的专有平面条

    Vï低栅极电荷（典型值16nC）ï低Crss（典纹DMOS技术制造。

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