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30V 60A N沟道增强型MOSFET APM3005NU特性与应用.pdf

30V 60A N沟道增强型MOSFET APM3005NU特性与应用.pdf

    APM3005NU

    N沟道增强型MOSFET

    特性引脚描述

    •30V/60A，RDS(ON)=4.5mΩ（典型

    值）@VGS=10VRDS(ON)=7mΩ（典型

    值）@VGS=4.5V•密度单元

    设计GD

    •雪崩耐量

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