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2026年单晶片加工工专项题库.docx

2026年单晶片加工工专项题库.docx

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    单晶片加工工专项题库

    一、单选题（只有一个正确答案）

    1.单晶片加工中，用于去除表面氧化层的工艺是？

    A.离子注入

    B.湿法刻蚀

    C.干法刻蚀

    D.氧化

    答案：B

    解析：湿法刻蚀可以有效去除表面氧化层。

    2.在单晶片加工过程中，光刻胶的主要作用是？

    A.保护金属层

    B.作为导电材料

    C.作为掩膜层

    D.作为绝缘层

    答案：C

    解析：光刻胶在光刻过程中作为掩膜层，用于定义图形。

    3.单晶片加工中，化学机械抛光（CMP）的主要目的是？

    A.去除杂质

    B.提高表面平整度

    C.增加导电性

    D.改变晶体结构

    答案：B

    解析：CM

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