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- 2026-04-28 发布于云南
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;目录;;氮化镓中痕量杂质(如碳、氧、硅、铁等)会诱发缺陷、降低击穿电压,导致高频器件失效。本标准首次为国内GaN材料提供了辉光放电质谱法(GD-MS)的统一基准,解决了过去因方法不一导致的数据“打架”问题,直接指向良率管控的核心需求。;替代进口的“法律武器”:为何本标准被工信部列为重点新材料首批次应用示范指导目录的配套方法;;标准与其他方法(ICP-MS、SIMS)的“三国杀”:何时必须用GD-MS,何时可用替代法?;;原理精讲:从“阴极溅射”到“离子引出”——辉光放电源如何像“原子级喷砂机”一样剥离GaN表面;;基体匹配的“铁律”:为何纯氮化镓与掺杂氮化
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