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半导体物理与器件实验2016.01.15主要内容半导体物理部分——霍尔效应实验半导体器件部分——晶体管电参数特性测试实验原理实验目的实验仪器实验内容实验步骤注意事项实验报告实验安排实验一霍尔效应实验实验原理：霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。实验目的：1、了解霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2、测绘霍尔元件的VH-IS和VH-IM曲线，了解霍尔电压VH与霍尔元件工作电流IS和励磁电流IM之间的关系实验仪器：DH4512系列霍尔效应实验仪实验内容：1、测量霍尔元件的零位电势和零位电阻。2、测量霍尔电压VH与工作电流Is的关系。3、测量霍尔电压VH与励磁电流IM的关系。4、计算霍尔元件的霍尔灵敏度。5、测量样品的电导率/迁移率。实验步骤：1、按仪器面板上的文字和符号提示将型霍尔效应测试仪与霍尔效应实验架正确连接。注意：以上三组线千万不能接错，以免烧坏元件。2、测量霍尔元件的零位电势和零位电阻。I．将实验仪和测试架的转换开关切换至VH，用连接线将中间的霍尔电压输入端短接，调节调零旋钮使电压表显示0.00mV；II．将IM电流调节到最小；III．调节霍尔工作电流IS＝3.00mA，利