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- 2026-04-29 发布于四川
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HUFA76419D3,HUFA76419D3S
数据表2001年12月
20A,60V,0.043欧姆,N沟道,逻辑电平
UltraFET®功率MOSFET
封装
JEDECTO‑251AAJEDECTO‑252AA特性
•超低导通电阻‑rDS(ON)=0.037Ω,VGS=10V‑
rDS(ON)=0.043Ω,VGS=5V•仿真模型‑温度补偿
漏极漏极
(法兰)源极(法兰)PSPICE®和SABERTM电气模型‑SPICE和SABER热阻抗
漏极
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