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- 2026-04-29 发布于北京
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2026年高三年级4月份适应性测试
物理试题
注意事项:
1.答题前,考生务必将自己的学校、班级、姓名、考生号等信息填在答题卡指定位置。
2.回答选择题时,选出每小题的答案后,用铅笔把答题卡上的对应题目的答案标号涂黑。如
需改动,用橡皮擦干净后,再选涂其他答案标号。回答非选择题时,将答案写在答题卡上对
应位置,写在本试卷上无效。
一、单项选择题:本题共8小题,每小题3分,共24分。每小题只有一个选项符合题目要求。
1.半导体材料的价带与导带间有一个带隙,其能量间隔为Eg。当入射光的能量hν≥Eg时,价带中的电子就
会吸收光子的能量,跃迁到导带,而在价带中留下一个空穴,形成可以导电的电子-空穴对。因此,这种光
电效应就是一种内光电效应。则()
A.该反应为β衰变
B.发生光电效应时,材料的比结合能增大
C.增加照射光的频率,材料导电性增强
D.增加照射光的光强,材料导电性增强
【答案】D
【解析】
【详解】A.β衰变是原子核内中子转化为质子同时释放电子的核反应,题述过程是核外电子吸收光子发生
的能级跃迁,不属于β衰变,故A错误;
B.比结合能是描述原子核稳定程度的物理量,该过程不涉及原子核结构的变化,材料的比结合能不变,故
B错误;
C.光强不变时,增加照射光频率,单位时间内入射的光子数会减少,产生的电子-空穴对数量减少,材料
导电性减弱,故
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