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三维ZnO纳米结构：从可控合成到物性探究

一、引言

1.1ZnO纳米结构的研究背景

在半导体材料的璀璨星空中，ZnO纳米结构凭借其独特的性质和广阔的应用前景，占据着举足轻重的地位。ZnO作为一种宽带隙半导体材料，室温下带隙宽度可达3.37eV，激子束缚能高达60meV，这些优异的特性使其成为制备紫外光电器件的理想之选。与传统体材料相比，纳米尺度的ZnO展现出诸多由于小尺寸效应及量子限域效应带来的独特物理性质。在光电器件领域，ZnO纳米结构可望用于构建微/纳米量级的紫外激光器、紫外发光二极管，为实现光通信、光存储等领域的高性能化提供了可能。在传感器领域，其高灵敏度和快速响