CN119465067A 通过循环沉积过程在衬底的电介质表面上沉积钼金属膜的方法和相关联的半导体器件结构 (Asm Ip控股有限公司).docxVIP

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  • 2026-04-29 发布于山西
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CN119465067A 通过循环沉积过程在衬底的电介质表面上沉积钼金属膜的方法和相关联的半导体器件结构 (Asm Ip控股有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119465067A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202310045462.4

(22)申请日2018.08.30

(30)优先权数据

15/691,2412017.08.30US62/607,0702017.12.18US62/619,5792018.01.19US16/105,8022018.08.20US

(62)分案原申请数据

201811002058.42018.08.30

(71)申请人ASMIP控股有限公司地址荷兰阿尔梅勒

(72)发明人B·

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