25V 60A N沟道增强型MOSFET特性与应用.pdf

APM2506NU

N沟道增强型MOSFET

特性引脚描述

25V/60A,RDS(ON)=4.2m(典型

值)@VGS=10VRDS(ON)=6.5m(典型

值)@VGS=4.5V

•密度单元设计

•雪崩耐量TO‑252的顶视图

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