不同In组分InGaN纳米柱能带结构计算.docVIP

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摘要

在半导体行业的发展浪潮中，第三代半导体凭借其独特的性能优势成为了当前学术界和产业界共同关注的焦点。GaN作为第三代半导体材料的典型代表，具有优异特性和广泛应用场景。通过在GaN纳米柱中掺杂不同组分In，可以使InGaN纳米柱的带隙从0.7eV到3.4eV连续可调，在光电探测领域显示出巨大的应用潜力。然而，In组分调控困难是InGaN纳米柱目前发展面临的主要问题，生长In含量超过20%的高质量InGaN纳米柱具有较大的挑战性，限制了InGaN纳米柱在光电领域的应用。

本文围绕InGaN纳米柱进行组分调控和器件制备，对不同In组分InGaN纳米柱的能带结构、制备工