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拉晶岗位试题及详细答案

一、填空题（每空2分，共20分）

拉晶过程中，核心设备是__________，其主要作用是通过加热使硅料熔化，并实现晶体的生长。

晶体生长的三要素是__________、__________、__________，三者配合不当会导致晶体出现缺陷。

拉晶时，坩埚的转动方向与籽晶的转动方向通常为__________（填“相同”或“相反”），目的是使熔硅温度均匀。

硅料熔化阶段，需要控制炉内气氛为__________，防止硅料被氧化。

晶体直径控制的核心参数是__________和__________，两者协同调整可稳定晶体直径。

二、选择题（每题3分，共15分，单选）

拉晶过程中，若出现晶体直径突然变细，最可能的原因是（）

A.拉速过快B.拉速过慢C.坩埚转速过快D.加热功率过高

下列哪种缺陷不属于拉晶过程中常见的晶体缺陷（）

A.位错B.夹杂C.气孔D.裂纹

硅料熔化后，需要进行保温处理，保温的目的是（）

A.降低炉内温度B.使熔硅成分均匀、温度稳定C.加快晶体生长D.保护坩埚

拉晶结束后，晶体冷却的速度应（）

A.越快越好B.越慢越好C.匀速缓慢冷却D.先快后慢

下列关于籽晶的说法，错误的是