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[上海市]2025上海复旦大学微电子学院闫娜教授课题组博士后招收笔试历年参考题库典型考点附带答案详解

一、单项选择题

下列各题只有一个正确答案，请选出最恰当的选项（共35题）

1、在CMOS工艺中，随着特征尺寸缩小，短沟道效应显著。下列哪项措施最能有效抑制漏致势垒降低（DIBL）？

A.增加栅氧化层厚度

B.采用高K介质材料

C.降低源漏掺杂浓度

D.减小衬底偏置电压

2、关于MOSFET的阈值电压调整，下列哪种方法会导致N型MOSFET的阈值电压绝对值增大？

A.增加沟道区域的受主掺杂浓度

B.减薄栅氧化层厚度

C.降低源漏结深

D.使用功函数更小的栅极材料

3、在集成电路制造中，化学机械抛光（CMP）工艺主要用于解决什么问题？

A.提高光刻分辨率

B.实现全局平面化

C.增强离子注入活性

D.减少金属电迁移

4、下列哪种存储器属于非易失性存储器，且利用浮栅存储电荷来保存数据？

A.SRAM

B.DRAM

C.FlashMemory

D.FRAM

5、在双极型晶体管（BJT）中，发射效率定义为发射极电流中由多数载流子注入基区的部分占总发射极电流的比例。为提高发射效率，应采取什么措施？

A.增加基区宽度

B.降低发射区掺杂浓度

C.提高发射区掺杂浓度相对于基区

D.减小集电结面积

6、关于FinFET结构，下列说法错误的是？

A.具有三维