阻变存储器温度特性的深度剖析与精准建模.docx

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阻变存储器温度特性的深度剖析与精准建模

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下,半导体存储技术作为信息活动的根基,于国民经济生活里有着举足轻重的地位。依据2010年ITRS对半导体存储器的分类,按照数据的易失性,其可划分为挥发性存储器和非挥发存储器。挥发性存储器在断电后写入的数据会丢失,像静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM);非挥发存储器在掉电后仍能保持信息,例如闪存(Flash),以及几种尚在研究阶段的新型非挥发存储器,其中就包含阻变存储器(ResistiveRandomAccessMemory,RRAM)。

阻变存储器是一种新型的非挥

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