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半导体物理第六章习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.低温下（T100K）半导体迁移率的主要散射机制是（）

A.晶格散射

B.杂质散射

C.中性杂质散射

D.表面散射

2.在室温（300K）下，N型硅的电子迁移率主要受（）影响

A.晶格振动散射

B.电离杂质散射

C.中性杂质散射

D.载流子-载流子散射

3.爱因斯坦关系描述了扩散系数与迁移率的关系，其表达式为（）

A.D=μkT

B.D=μkT/q

C.D=μq/kT

D.D=μqT/k

4.半导体的电导率σ与载流子浓度n和迁移率μ的关系为（）

A.σ=nqμ

B.σ=nμ/q

C.σ=qn/μ

D.σ=nμq2

5.在高温（T500K）下，半导体中载流子迁移率随温度升高而（）

A.升高

B.降低

C.不变

D.先升高后降低

6.扩散电流密度J_d的表达式为（）

A.J_d=-qDdn/dx

B.J_d=qDdn/dx

C.J_d=-qμdn/dx

D.J_d=qμd