探秘Ⅲ族氮化物低维异质结构：性质解析与位错抑制策略.docx

探秘Ⅲ族氮化物低维异质结构：性质解析与位错抑制策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域的持续发展进程中，Ⅲ族氮化物低维异质结构凭借其独特的物理性质和卓越的应用潜力，已然占据了极为重要的地位。Ⅲ族氮化物主要涵盖氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）以及氮化铟（InN）等材料，这些材料具备直接带隙且带隙范围宽广，从InN的0.7eV、GaN的3.4eV一直延伸至AlN的6.2eV，对应的直接带隙波长范围覆盖了从红外到紫外的广阔区域。这一特性使得Ⅲ族氮化物在光电器件领域展现出无与伦比的优势，例如在发光二极管（LED）、激光二极管（LD）等器件中，能够依据不同的带隙