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CN119486101A 半导体结构及其形成方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-05-02 发布于山西
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CN119486101A 半导体结构及其形成方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119486101A

    (43)申请公布日2025.02.18

    (21)申请号202310966093.2

    (22)申请日2023.07.31

    (71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

    地址230601安徽省合肥市经济技术开发

    区空港工业园兴业大道388号

    (72)发明人唐怡

    (51)Int.Cl.

    H10B12/00(2023.01)

    权利要求书3页说明书13页附图11页

    (54)发明名称

    半导体结构及其形成方法

    (57)摘要

    本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构，包括：

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