CN119480831A 半导体装置及半导体装置的制造方法 （富士电机株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119480831A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202410816387.1

(22)申请日2024.06.24

(30)优先权数据

2023-1300922023.08.09JP

(71)申请人富士电机株式会社地址日本神奈川县川崎市

(72)发明人高桥圣一

(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限

公司11286

专利代理师周爽金玉兰

(51)Int.Cl.

H01L23/495(2006.01)

H01L23/49(2006.01)

H01L21/48(2006.01)

H01L21/56(2006.01)

权利要求书3页说明书13页附图18页

(54)发明名称

半导体装置及半导体装置的制造方法

(57)摘要

CN119480831A本发明提供一种防止绝缘密封部件的气泡、剥离及结露的发生，实现绝缘可靠性的提高的半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：绝缘基板，其具备多个布线图案；半导体芯片、其配置于多个布线图案中的至少一个布线图案上；金属线，其与半导体芯片电连接；以及壳体，其将绝缘基板配置于底部。另外，绝缘密封部件针对被绝缘基板和壳体包围的区域，从绝缘基板的上表面起覆盖半导体芯片，并在该区域填充

CN1