CN119480598A 下电极装置、半导体工艺控制方法及半导体工艺设备 （北京北方华创微电子装备有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119480598A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202311015123.8

(22)申请日2023.08.11

(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区文昌大道8号

(72)发明人徐晶晶李璇赵晓建杨京

(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理

有限公司11112

专利代理师彭瑞欣王婷

(51)Int.Cl.

H01J37/32(2006.01)

H01J37/20(2006.01)

H01J37/24(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图3页

(54)发明名称

下电极装置、半导体工艺控制方法及半导体

工艺设备

(57)摘要

CN119480598A本发明提供一种下电极装置、半导体工艺控制方法及半导体工艺设备，下电极装置包括承载部件、聚焦环和控制电源，承载部件用于承载晶圆，并用于与射频源电连接，射频源用于向承载部件加载射频，使承载部件产生自偏压，聚焦环环绕承载部件设置，并能够环绕在承载部件上承载的晶圆的周围，控制电源的正极与射频源电连接，控制电源的负极与聚焦环电连接，控制电源用于向聚焦环加载控制电压，控制电压包括自偏压和与聚焦环的厚度相对应的补