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2025年电力电子技术试卷及答案

一、选择题（每题2分，共20分）

1.以下关于IGBT（绝缘栅双极晶体管）的描述中，错误的是（）。

A.输入阻抗高，驱动功率小

B.属于电压驱动型器件

C.开关速度低于MOSFET但高于GTR

D.不存在二次击穿问题

2.晶闸管（SCR）从导通状态转为阻断状态的必要条件是（）。

A.门极加反向电压

B.阳极电流小于维持电流

C.阳极电压为零

D.门极电流为零

3.单相全控桥式整流电路带电阻性负载时，晶闸管的最大移相范围是（）。

A.0°~90°

B.0°~120°

C.0°~150°

D.0°~180°

4.以下哪种电路拓扑属于非隔离型DC-DC变换器？（）

A.反激变换器（Flyback）

B.正激变换器（Forward）

C.Boost变换器

D.推挽变换器（Push-Pull）

5.电压型逆变器（VSI）的直流侧通常并联（）。

A.大电感

B.大电容

C.电阻

D.开关器件

6.软开关技术的核心目的是（）。

A.提高开关频率

B.降低开关损耗

C.简化控制电路

D.增大输出功率

7.三相半波可控整流电路带大电感负载时，晶闸管的触发角α的有效移相范围是（）。