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激光器芯片研发工程师考试试卷及答案

一、填空题（每题1分，共10分）

1.激光器的三大核心组成部分包括增益介质、泵浦源和________。

2.半导体中载流子复合发光的两种主要类型是自发辐射和________。

3.谐振腔的________值反映了腔的损耗大小，值越高损耗越小。

4.量子阱结构相比体材料，能有效限制载流子在________维度。

5.半导体激光器芯片中，P型掺杂和________型掺杂形成PN结。

6.激光产生的阈值条件是光增益________光损耗。

7.半导体激光器的波长常用单位是________（纳米）。

8.芯片制备中，将掩模图形转移到衬底的工艺是________。

9.光增益系数的物理意义是单位长度上光强的________倍数。

10.边发射激光器的光从芯片________发射，面发射则从表面发射。

二、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下不属于谐振腔类型的是（）

A.法布里-珀罗腔B.分布反馈（DFB）腔C.布拉格反射腔D.凸透镜腔

2.半导体激光器常用的泵浦方式不包括（）

A.电注入泵浦B.光泵浦C.化学泵浦D.热泵浦

3.量子阱结构能提高激光器的（）

A.增益系数B.功耗C.波长宽度D.非辐射复合率

4.激光的单色性主要源于（）

A.谐振腔选模B.增益介质的窄带增益C.泵浦源稳定D.载流子浓度高

5.以下哪种材料常用于短波长半导体激光器（）

A