CN119480676A 晶圆膜厚标定库构建方法、测量方法及抛光设备 （北京特思迪半导体设备有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119480676A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202510067186.0

(22)申请日2025.01.16

(71)申请人北京特思迪半导体设备有限公司

地址101300北京市顺义区杜杨北街3号院

6号楼（顺创）

(72)发明人周惠言孟炜涛孙昕宇蒋继乐黄银国葛乃义

(51)Int.Cl.

H01L21/66(2006.01)

B24B37/34(2012.01)

B24B49/12(2006.01)

G01B11/06(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图1页

(54)发明名称

晶圆膜厚标定库构建方法、测量方法及抛光

设备

(57)摘要

CN119480676A本发明提供一种晶圆膜厚标定库构建方法、测量方法及抛光设备，所述构建方法包括：获取适用于单层膜环境的膜厚反射率库，其中反射率值随厚度值的变化呈现周期性变化；获取已知不同厚度的两个晶圆薄膜对单波长光束的反射光的光强度对应的电信号和电信号；获取所述两个晶圆薄膜在多层膜环境下对所述单波长光束的反射光的光强度对应的电信号和电信号；根据电信号、电信号、电信号和电信号确定转换系数；利用所述转换系数将所述膜厚反射率库转换为适用于多层膜环境的数据库。

CN11