2025年郑州大学半导体物理学(乙)真题试卷及答案.docxVIP

2025年郑州大学半导体物理学(乙)真题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

1.下列关于半导体能带结构的说法，正确的是（）

A.本征半导体的价带全空，导带全满

B.杂质半导体的费米能级一定位于本征费米能级

C.禁带宽度是导带底与价带顶的能量差

D.直接带隙半导体的导带底与价带顶在k空间不同位置

2.室温下，硅（Si）的本征载流子浓度约为（）

A.1.0×101?cm?3

B.1.5×101?cm?3

C.2.0×1013cm?3

D.5.0×101?cm?3

3.半导体中载流子的两种主要散射机制是（）

A.晶格散射和杂质散射

B.热散射和光散射

C.电离散射和中性散射

D.声子散射和电子散射

4.PN结的正向偏压是指（）

A.P区接电源正极，N区接电源负极，势垒降低

B.P区接电源负极，N区接电源正极，势垒升高

C.P区接电源正极，N区接电源正极，势垒不变

D.P区接电源负极，N区接电源负极，势垒降低

5.硅的晶体结构是（）

A.闪锌矿结构

B.金刚石结构

C