珠三角第三代半导体汽车芯片（SiC衬底）建设工程可行性研究报告.docx

珠三角第三代半导体汽车芯片（SiC衬底）建设工程可行性研究报告

第一章项目总论

项目名称及建设性质

项目名称

珠三角第三代半导体汽车芯片（SiC衬底）建设工程

项目建设性质

本项目属于新建高新技术产业项目，专注于第三代半导体材料中碳化硅（SiC）衬底的研发、生产及销售，产品主要应用于新能源汽车功率芯片领域，旨在填补区域内高端SiC衬底产能缺口，推动我国汽车半导体产业链自主可控发展。

项目占地及用地指标

本项目规划总用地面积60000平方米（折合约90亩），建筑物基底占地面积42000平方米；规划总建筑面积72000平方米，其中生产车间54000平方米、研发中心8000平方米、办公用房500