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半导体器件基础习题答案试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题：

1.本征半导体中载流子的主要来源是（）

A.掺杂

B.热激发

C.复合

D.晶格缺陷

2.PN结处于正向偏置时，耗尽层宽度会（）

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.随机变化

3.硅二极管的正向压降约为（）

A.0.1V

B.0.3V

C.0.7V

D.1.0V

4.NPN型晶体管处于放大状态时，三个电极的电位关系是（）

A.VCVBVE

B.VEVBVC

C.VBVCVE

D.VCVEVB

5.增强型NMOS管的开启电压VTN通常（）

A.大于0

B.小于0

C.等于0

D.不确定

6.光敏电阻的工作原理基于（）

A.光电效应

B.光伏效应

C.光电导效应

D.热电效应

7.P型半导体的多数载流子是（）

A.电子

B.空穴

C.正离子

D.负离子

8.二极管在电路中主要用于（）

A.放大信号

B.整流

C.振荡

D.调制

9.双极型晶体管的电流放大系数β定义为（）

A.IC/IE

B.IE/IC

C.IC/IB

D.IB/IC

10.场效应管属于（）控制器件

A.电流

B.电压

C.功率

D.