中山大学 微电子-物理专业《现代半导体器件》2007期中考试试卷.docVIP

微电子专业、物理专业《现代半导体器件》期中考试试卷

(1)求证：线性缓变结的内建电势？

(2)Si和Ge的PN结各一个,掺杂浓度均为NA＝1018cm-3，ND＝1015cm－3，N区的寿命τP＝10－5s，且WnLP,300K下N型Ge中DP＝45cm2/s,N型Si的DP＝13cm2/s,求外加偏压－5V时，反向饱和电流和势垒区产生电流各为多少？从中可得到什么结论？(Ge:?S＝16.2,ni=2.4X1013cm-3,Si:?S＝11.8,ni=1.5X1010cm-3,?0＝8.85X10-14F/cm)

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(3)什么叫厄尔利(Early)效应？对该效应原因作出物理解释，并分析Early

效应对晶体管共射极输出特性曲线产生何种的影响？

(4)缓变基区晶体管和均匀晶体管的电流增益表达式有何区别？并对其产生

原因加以物理解释？

○(5)试述导致大电流双级晶体管电流增益下降的原因分为几种，各为什么？并对发射极电流集边效应作出物理解释？

○(6)试解释雪崩击穿，并写出雪崩击穿的判据，并试比较下图两种材料的击穿电压大小，并说明判断理由？

b,ND较小a,ND

b,ND较小

a,ND????

0

x

E

Em

a,ND

a,ND较高

E

Em1

0xm1xm

0

xm1

xm

x

(7)NPN的Si平面晶体管,已