现代半导体器件期末试题（不确定）.docVIP

硅NPN均匀基区晶体管，发射结面积，基区杂质掺杂浓度，，，，室温300K下，发射结正向电压为0.7V，设发射结效率，求该晶体管的和共基极电流增益。（令时，）

双极晶体管的开关过程分为几个阶段？判断开关时间中哪个时间是影响开关时间的关键，并请详述该物理过程，以及详细分析电容、电流和电压的变化情况。

证明：线性缓变结的扩散电势：，其中a为PN结杂质浓度梯度，画出平衡PN结的能带图，描述Mos强反型下的表面能带分布，并证明Mos结构强反型的临界表面电子浓度为

双极晶体管在大电流作用下电流增益将如何发生变化？双极晶体管在大电流下存在哪些非理想效应？解释大注入效应

N沟道MESFET肖特基势垒，沟道区掺杂浓度，相对介电常数，真空介电常数。KT=0.026ev，q=1.6×c，的带隙，导带底有效态密度，。求：

沟道厚度

详细说明肖特基势垒形成的物理过程以及出现的前提条件

6.MOSFET的基本结构是如何构成的，画出器件结构；请解释其工作原理，详细描述其各种工作状态，画出其传输特性曲线。