2026年电子技术考研复试押题卷（冲刺版）.docxVIP

2026年电子技术考研复试押题卷（冲刺版）

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、填空题（每空2分，共20分）

1.一个N沟道增强型MOSFET工作在饱和区，其输出特性曲线方程为iD=(μnCOx(W/L)(VGS-VT)^2)，其中μn为电子迁移率，COx为单位面积的栅氧化层电容，W/L为沟道宽长比，VGS为栅源电压，VT为开启电压。当VGS固定时，iD随VDS的变化呈现______性质。

2.差分放大电路的主要优点是______和______。

3.在理想情况下，集成运算放大器工作在线性区时，其输入阻抗趋近于