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2025年《电力电子技术》练习题及参考题答案

一、选择题（每题2分，共20分）

1.关于IGBT的结构特性，以下描述错误的是（）。

A.输入级为MOSFET结构，输出级为BJT结构

B.开关速度高于MOSFET，低于BJT

C.具有正向偏置安全工作区（FBSOA）和反向偏置安全工作区（RBSOA）

D.关断时需施加负栅压以加速载流子抽取

2.单相桥式全控整流电路带电阻性负载，交流输入电压有效值为220V，触发角α=60°，则输出电压平均值为（）。

A.148.5V

B.161.7V

C.198V

D.220V

3.以下哪种控制方法不属于PWM逆变电路的调制策略？（）

A.单极性SPWM

B.双极性SVPWM

C.三次谐波注入法

D.相控整流移相控制

4.Boost变换器工作于连续导电模式（CCM）时，输入电压Uin=24V，占空比D=0.6，输出电压Uo为（）。

A.36V

B.40V

C.60V

D.96V

5.晶闸管实现可靠关断的必要条件是（）。

A.阳极电流小于维持电流，且阳极电压反向

B.门极施加负脉冲

C.阳极电流大于擎住电流

D.阳极电压为零

6.软开关技术的核心目标是（）。

A.提高开关频率，减小装置体积