256Mbit同步SDRAM规格书V0.0 1999年9月.pdfVIP

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K4S561632ACMOSSDRAM

4Mx16位x4同步DRAM

特性一般描述

•符合JEDEC的3.3V电源供电K4S561632A是一种268,435,456位的同步高数据速率动态随

•与多路地址兼容的LVTTL机存取器(DRAM),组织为4x4,196,304字x16位,采用

•四组操作三星高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟进行精确

•带有地址键的MRS周期‑CAS延迟(2的周期控制,每个时钟周期都可以进行I/O理。多种工作频

和3)‑长度(1、2、4、8和全页)‑率、可编程长度和可编程延迟使得该设备适用

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