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- 2026-05-11 发布于北京
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K4S561632ACMOSSDRAM
4Mx16位x4同步DRAM
特性一般描述
•符合JEDEC的3.3V电源供电K4S561632A是一种268,435,456位的同步高数据速率动态随
•与多路地址兼容的LVTTL机存取器(DRAM),组织为4x4,196,304字x16位,采用
•四组操作三星高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟进行精确
•带有地址键的MRS周期‑CAS延迟(2的周期控制,每个时钟周期都可以进行I/O理。多种工作频
和3)‑长度(1、2、4、8和全页)‑率、可编程长度和可编程延迟使得该设备适用
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