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单晶工序试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（共20题，每题2分，共40分）

1.直拉法单晶生长中，杂质在固液界面的分配行为主要由以下哪个因素决定？

A.拉晶速度B.熔体温度C.杂质种类D.晶体直径

2.若单晶生长过程中“晶转速度”过快，最可能导致的晶体缺陷是？

A.氧含量超标B.位错增殖C.条纹不均匀D.空洞

3.单晶硅生产中，氧元素的主要来源是？

A.掺杂剂B.石英坩埚C.氩气D.籽晶

4.控制单晶电阻率均匀性的关键工艺参数是？

A.晶转速度B.拉晶速度C.氩气流量D.掺杂浓度

5.单晶炉热系统中，直接影响熔体温度梯度分布的部件是？

A.坩埚B.加热器C.保温材料D.导流筒

6.下列哪项操作属于单晶生长前的“籽晶处理”环节？

A.清洗籽晶表面B.调整氩气流量C.校准拉速D.检查加热器功率

7.单晶生长过程中，“埚转速度”过快可能引发的问题是？

A.杂质分凝不均B.晶体开裂C.熔体飞溅D.界面形状失控

8.N型单晶硅中，常用的掺杂元素是？

A.硼