CN119743981A 一种具备高温可靠性的SiCVDMOSFET结构及其制备方法 .pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119743981A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202510254586.2

(22)申请日2025.03.05

(71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司

地址310000浙江省杭州市萧山区瓜沥镇

航钱路168号3幢4层405（自主分割）

(72)发明人许一力李鑫刘倩倩

(74)专利代理机构深圳市励知致远知识产权代

理有限公司44795

专利代理师孙平

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)