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器件中的最小信息位尺寸、大规模集成电路和微电子技术中的光刻线宽和光学显微镜的分辨率等均能达到纳米量级(lOOnm)，而由于光衍射本身的限制，无法达到实际需求。上图所示，为了使问题简单化，我们假设高斯光束垂直入射介质，非线性薄膜介质绝缘，面积无穷大5厚度为

器件中的最小信息位尺寸、大规模集成电路和微电子技术中的光刻线宽和光学显微镜的分辨率等均能达到纳米量级(lOOnm)，而由于光衍射本身的限制，无法达到实际需求。

上图所示，为了使问题简单化，我们假设高斯光束垂直入射介质，非线性薄膜介质绝缘，面积无穷大5厚度为h。折射率表达式为：”(厂7)=Ml(4-1)式中/为入射光光强

6)(2-7)(2-8)(2-9)(3-E(x,y,z,/)=￡(兀，y,z)eiat由数理方程基本知识可知，平面波和球面波都是(3?1)式的特解。高斯光束则不

摘要：随着信息技术和纳米技术的迅速发展，要求光信息存储器件中的最小信息位尺寸、大规模集成电路和微电子技术中的光刻线宽和光学显微镜的分辨率等均能达到纳米量级 (〈lOOnm),而由于光衍射本身的限制，无法达到实际需求。非线性薄膜材料的研究，通过选择非线性强的光学薄膜材料，调节激光能量和控制薄膜厚度及结构，在非线性薄膜结构的出射面能使光斑尺寸逬一步下降，实现纳米光斑。该光斑通过近场耦合作用在信息存储薄膜或光刻薄膜上，从而实现纳米信息存