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CN119846915A 一种半导体结构及光刻方法 .pdfVIP

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  • 2026-05-04 发布于重庆
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CN119846915A 一种半导体结构及光刻方法 .pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119846915A

    (43)申请公布日2025.04.18

    (21)申请号202510270940.0

    (22)申请日2025.03.07

    (71)申请人中国科学院微电子研究所

    地址100029北京市朝阳区北土城西路3号

    中国科学院微电子研究所

    (72)发明人张政霖郑英奎康玄武岳玮

    魏珂

    (74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

    公司11227

    专利代理师柳虹

    (51)Int.Cl.

    G03F7/20(2006.01)

    G03F7/30(2006.01)

    权利要求书1页说明

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