基于多晶硅锗纳米继电器通过氮化钛涂层提高接触可靠性.pdfVIP

W1E.006

基于多晶硅锗的纳米继电器通过氮化钛涂层提高接触可靠性

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M.Ramezani,S.Severi,A.Moussa1,1,211,1H.OsmanH.A.C.Tilmansand

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K.DeMeyerIMEC,Leuven,比利时KUL,Leuven,比利时

导电区域远小于总表面积，因为电气接触仅发生在薄膜

本工作了一种在垂直驱动的硅锗基纳米机电表面的突起或局部最大值处[12]。接触材料决定了突起

（NEM）继电器中实现的氮化钛涂层接触。研究表明，处的电阻率。通过每个突起的电流流动受到两种机制的

λ

在可移动的硅锗梁（即衔铁）底部的接触区域覆盖一层限制：（1）当接触半径（r）小于电子平均自由程（）

氮化钛，可以显著改善