APM4430
N沟道增强型MOSFET
特性引脚描述
•30V/23A,RDS(ON)=4.5mΩ(典型值)@
VGS=10VRDS(ON)=7mΩ(典型值)@VGS=5
V•密度单元设计,实现极低的RDS(ON)54
•可靠且坚固
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