N沟道增强型MOSFET APM4430:30V 23A,SO-8封装.pdf

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APM4430

N沟道增强型MOSFET

特性引脚描述

•30V/23A,RDS(ON)=4.5mΩ(典型值)@

VGS=10VRDS(ON)=7mΩ(典型值)@VGS=5

V•密度单元设计,实现极低的RDS(ON)54

•可靠且坚固

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