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光子芯片良率提升

一、引言

随着全球数字经济的快速发展，算力需求与通信带宽呈现指数级增长，传统硅基电子芯片因物理极限逐渐逼近，难以满足未来高算力、低功耗的应用需求。光子芯片以其高速传输、低能耗、抗电磁干扰等优势，成为新一代信息基础设施的核心支撑技术，广泛应用于光通信、数据中心、人工智能、量子计算等领域。然而，光子芯片的产业化进程却面临着一个核心瓶颈——良率偏低。相较于传统硅基电子芯片动辄90%以上的量产良率，当前主流光子芯片的量产良率普遍处于40%-60%区间，部分高端光通信芯片甚至不足30%，这成为制约光子芯片规模化应用与成本下降的关键因素（国际半导体技术路线图组织，某年）。

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