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200V 52A 49mΩN沟道MOSFET特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-05-08 发布于北京
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200V 52A 49mΩN沟道MOSFET特性与应用.pdf

    2013年4月

    FDP52N20/FDPF52N20T

    N沟道UniFETTMMOSFET200V，52

    A，49mΩ

    特性描述

    41=10=26TM®

    •IDS(on)mΩ(典型值)@VGSV，IDAUniFETMOSFET是FairchildSemiconductor基于平面条纹

    •低G极C电荷(典型值49nC)和DMOS技术的高压MOSFET系列。此MOSFET经过优化，旨

    •低Crss(典型值66pF)在

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