GaN功率器件晶圆级封装技术研发中试项目可行性研究报告.docx

GaN功率器件晶圆级封装技术研发中试项目可行性研究报告

第一章总论

项目概要

项目名称

GaN功率器件晶圆级封装技术研发中试项目

建设单位

深圳氮化芯半导体科技有限公司于2023年5月在广东省深圳市南山区市场监督管理局注册成立，为有限责任公司，注册资本金5000万元人民币。核心经营范围包括半导体器件研发、生产及销售；集成电路设计；电子元器件制造；半导体封装测试服务；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。

建设性质

新建（研发+中试）

建设地点

广东省深圳市宝安区半导体产业园

投资估算及规模

本项目总投资估算为38