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SiC介质界面特性对MOSFET器件性能的影响及研制策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体材料和器件的研究对于推动电子信息技术的进步起着至关重要的作用。碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的代表，凭借其独特的物理性质，在功率半导体领域展现出了巨大的优势，成为了近年来研究的热点。

SiC材料具有宽禁带、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速度和高热导率等优异特性。与传统的硅（Si）材料相比，SiC的禁带宽度约为Si的3倍，这使得SiC器件能够在更高的温度下稳定工作，并且具有更低的漏电电流；其击穿电场强度是Si的10倍以上，这意味着SiC