CN120058366A 一种SiC半导体长晶用多孔石墨材料的生产方法 .pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120058366A

(43)申请公布日2025.05.30

(21)申请号202510261343.1

(22)申请日2025.03.06

(71)申请人平顶山东方碳素股份有限公司

地址467000河南省平顶山市石龙区兴龙

路19号

(72)发明人樊少璞杨晓鹏马二克张亚东

刘一君

(74)专利代理机构郑州明德知识产权代理事务

所(普通合伙)41152

专利代理师宋建勋

(51)Int.Cl.

C04B35/52(2006.01)

C04B35/622(2006.01)

B33Y10/00(2015.01)

B33Y7