功率半导体器件的制造考核试卷及答案.docxVIP

功率半导体器件的制造考核试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内。）

1.在功率半导体器件制造中，用于形成N型或P型掺杂区域的工艺是？

(A)氧化

(B)外延生长

(C)扩散

(D)光刻

2.下列哪种材料属于直接带隙半导体，常用于制作高速、高温功率器件？

(A)硅(Si)

(B)锗(Ge)

(C)砷化镓(GaAs)

(D)碲化镉(CdTe)

3.功率器件工作时产生大量热量，选择合适的封装材料主要考虑其？

(A)绝缘性能

(B)导热系数

(C)透光性

(D)机械强度

4.在CMOS器件制造中，形成器件隔离结构，防止相邻器件相互干扰的工艺是？

(A)隔离扩散

(B)金属化

(C)氧化层生长

(D)外延生长

5.离子注入工艺中，用于控制注入离子种类的是？

(A)加速电压

(B)离子源

(C)注入能量

(D)离子束流强度

6.下列哪种薄膜沉积技术适用于在低温下生长高质量的绝缘层？

(A)等离子体增强化学气相沉积(PECVD)