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电子束光刻邻近效应校正技术：原理、方法与应用进展

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的浪潮中，半导体制造作为信息技术产业的基石，其重要性不言而喻。从智能手机到超级计算机，从物联网设备到人工智能芯片，半导体器件广泛应用于各个领域，成为推动科技进步和社会发展的关键力量。而电子束光刻技术，凭借其超高分辨率的独特优势，在半导体制造领域占据着举足轻重的地位。

电子束光刻技术的基本原理是利用聚焦的电子束在光刻胶表面进行纳米级图案直写。通过电磁透镜将电子束聚焦至纳米甚至亚纳米级尺寸，然后在计算机的精确控制下，电子束直接在涂覆光刻胶的衬底上扫描，逐点曝光形成图案。曝光后的光刻胶经化学显影形成