原创力文档IGBT
采用TRENCHSTOPTM5技术的低VCE(sat)IGBT与RAPID1快速软反并联二极管共同
封装
IKW30N65EL5
英飞凌650VDuoPackIGBT和二极管
低VCE(sat)系列第五代
数据手册
工业功率控制
IKW30N65EL5
英飞凌低VCE(sat)系列第五代
采用TRENCHSTOPTM5技术的低VCE(sat)IGBT
与RAPID1快速软反并联二极管共同封装
特征和优点：
低VCE(sat)L5技术
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