CN119497468A 一种红光led芯片制备方法及红光led芯片 （江西耀驰科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119497468A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202510081467.1

(22)申请日2025.01.20

(71)申请人江西耀驰科技有限公司

地址330096江西省南昌市南昌高新技术

产业开发区天祥北大道1717号第二层申请人江西兆驰半导体有限公司

(72)发明人郭磊文国昇金从龙

(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201

专利代理师何世磊

(51)Int.Cl.

H10H20/01(2025.01)

H10H20/814(2025.01)

权利要求书1页说明书7页附图1页

(54)发明名称

一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片

(57)摘要

CN119497468A本发明提供一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片，该方法包括以下步骤：提供一衬底；在衬底上生长包含DBR反射层的外延结构，以制备得到红光LED芯片；其中，DBR反射层包括多个层叠式设置的由第一AlGaAs层及第二AlGaAs层构成的复合层，第一AlGaAs层中的Al的组分占比小于Ga的组分占比，复合层的数量为25层一28层。通过将常规红光LED中的22对DBR层提高至25层一28层，从而提高外延的基础亮度，进一步通