CN119497367A 一种半导体器件及其制造方法、存储器系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119497367A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202311031461.0

(22)申请日2023.08.15

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人杨远程赵冬雪杨涛孙昌志刘磊周文犀夏志良霍宗亮

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

专利代理师罗晶瑾王黎延

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书4页说明书17页附图8页

(54)发明名称

一种半导体器件及其制造方法、存储器系统

(57)摘要

CN119497367A本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法、存储器系统。该制造方法包括：提供依次堆叠的第一半导体层、刻蚀停止层和第一叠层结构，所述第一叠层结构包括交替堆叠的第一导电层和层间绝缘层；形成贯穿所述第一叠层结构并延伸至所述刻蚀停止层中的电容孔；在所述电容孔中依次形成第一电极、介质层和第二电极，以形成电容；其中，所述第一电极包括沿堆叠方向上间隔设置的多个子电极，每一所述子电极和所述第一导电层连接；去除所述第一半导体层、所述刻蚀停止层以及去除至少部分位于所述刻蚀停止