CN119497382A 半导体结构的处理方法、半导体结构及半导体处理装置 （中微半导体设备(上海)股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119497382A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202311028137.3

(22)申请日2023.08.15

(71)申请人中微半导体设备（上海）股份有限公司

地址201201上海市浦东新区金桥出口加

工区（南区）泰华路188号

(72)发明人陈超邓璟雯饶建成黄振华

(74)专利代理机构上海元好知识产权代理有限

公司31323

专利代理师贾慧琴张静洁

(51)Int.Cl.

H10B41/35(2023.01)

H10B41/27(2023.01)

H01L21/311(2006.01)

H01L21/67(2006.01)

H01J37/32(2006.01)

权利要求书2页说明书12页附图8页

(54)发明名称

半导体结构的处理方法、半导体结构及半导

体处理装置

(57)摘要

CN119497382A本发明公开了一种半导体结构的处理方法、半导体结构及半导体处理装置。处理方法包括：提供一基片，包括设置在衬底上的基底层，其具有侧部自顶部表面朝向衬底方向逐渐向外延伸形成的坡度结构，坡度结构上覆盖有截止层，截止层上设有电介质层；开启源射频、偏置射频，通入第一刻蚀气体，刻蚀电介质层，直到第三类孔暴露出截止层；降低偏