CN119497453A 一种具有新型硼扩浅结的晶硅光伏电池、制备方法及装置 (安徽美达伦光伏科技有限公司).docxVIP

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  • 2026-05-07 发布于山西
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CN119497453A 一种具有新型硼扩浅结的晶硅光伏电池、制备方法及装置 (安徽美达伦光伏科技有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119497453A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202411690729.6

(22)申请日2024.11.25

(71)申请人安徽美达伦光伏科技有限公司

地址239400安徽省滁州市明光市宝塔山

路以东、鲁山路以西、淮河大道以北

(72)发明人杨晓磊樊选胜宛正杨恒春

(74)专利代理机构滁州创科维知识产权代理事务所(普通合伙)34167

专利代理师蒋曼云

(51)Int.Cl.

H10F77/14(2025.01)

H10F77/20(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

H10F10/10(2025.01)

权利要求书2页说明书7页附图10页

(54)发明名称

一种具有新型硼扩浅结的晶硅光伏电池、制

备方法及装置

(57)摘要

CN119497453A本发明公开了一种具有新型硼扩浅结的晶硅光伏电池、制备方法及装置,包括硅片,所述硅片表面交替设置有深结区与浅结区,所述深结区深度大于200nm,所述浅结区深度小于80nm,所述硅片表面还设置有栅格状的金属栅线,所述金属栅线包括与深结区平行的主栅线以及与主栅线垂直交错的副栅线,所述主栅线凸出浅结区表面设置。本发明通过设置掺杂深度小于80nm的浅结区

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