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2026中国功率半导体器件技术突破与供应链安全报告.docx

2026中国功率半导体器件技术突破与供应链安全报告.docx

    2026中国功率半导体器件技术突破与供应链安全报告

    目录

    TOC\o1-3\h\z\u摘要 3

    一、研究背景与核心问题界定 5

    1.1报告研究范围与关键定义 5

    1.22026年中国功率半导体面临的关键挑战 8

    二、全球功率半导体技术演进趋势 10

    2.1第三代半导体材料进展 10

    2.2器件结构创新与工艺节点演进 13

    三、中国SiCMOSFET技术突破分析 16

    3.1650V/1200V平台导通电阻与栅氧可靠性 16

    3.2衬底缺陷控制与外延生长速率优化 20

    四、国产IGBT芯片技术攻坚路径 23

    4

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